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AOW480
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
200
180
160
10V
6.5V
7V
6V
150
V DS =5V
120
120
5.5V
90
80
60
40
5V
30
125 ° C
25 ° C
V GS =4.5V
0
0
0
1
2
3
4
5
2
3
4
5
6
7
7
V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
2.2
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
6
5
4
V GS =7V
2
1.8
1.6
1.4
V GS =10V
I D =20A
17
5
2
10
3
2
V GS =10V
1.2
1
0.8
V GS =7V
I D =20A
0
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75
100
125
150
175
200
I D (A)
Temperature (°C)
0
18
9
8
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
I D =20A
1.0E+02
1.0E+01
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
7
125 ° C
40
1.0E+00
125 ° C
25 ° C
6
5
1.0E-01
1.0E-02
4
25 ° C
1.0E-03
3
4
5
6
7 8 9 10
1.0E-04
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
Rev0: July 2011
www.aosmd.com
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AOWF10T60
功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1346pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:28W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-262F 封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 标准包装:1,000
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功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1595pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:TO-262F 标准包装:1,000